半导体行业最新 #HBM 相关新闻

➀ 三星NC化学计划今年开始大规模生产用于HBM的封装材料；

➁ 该公司的材料用于形成DRAM芯片之间的细金属凸起；

➂ 三星NC化学向三星电子和SK海力士等顶级PR制造商供应材料。

➀ iCAR V27搭载地平线HSD和征程6P芯片，展示先进的自动驾驶能力；

➁ 采用真正的端到端架构，实现低延迟和类似人类的决策；

➂ iCAR V27在城市交通和乡村道路上实现了高自主性。

➀ 存储芯片产业的崛起推动了后道设备供应商的需求；

➁ DRAM和HBM市场在AI的推动下正经历结构性变化；

➂ 测试设备市场的主要参与者包括Advantest、Teradyne和东京电子。

➀ 人工智能应用的扩展推动了除AI服务器之外对内存的需求；

➁ DRAM收入同比增长29.4%，达到535.8亿美元；

➂ 三星以36%的市场份额重夺第一。

➀ 预计HBM4验证将在2026年第二季度完成；

➁ 三大供应商——三星、SK海力士和美光正处于最后的验证阶段；

➂ NVIDIA即将推出的Rubin平台将成为HBM4采用的催化剂；

➃ 内存短缺和HBM盈利性挑战；

➄ GPU需求增长和需要多供应商生态系统。

➀ 本文采访了两位行业分析师，旨在评估半导体生态系统，指出由于人工智能（AI）热潮，整个供应链普遍面临制约，其中HBM（高带宽内存）的供应短缺尤为突出。

➁ 文章探讨了行业对产能扩张的保守态度，分析师指出尽管需求迫切，但在传统节点上“无人扩产”，这主要是由于高昂的成本和漫长的交付周期。

➂ 展望2026年，供应链紧张局势预计将延续，随着AI芯片需求的增长，封装产能（如CoWoS）可能成为关键瓶颈，同时内存制造商在满足HBM3E和HBM4需求方面仍将面临挑战。

➀ 人体模型（HBM）静电放电（ESD）测试是电子行业历史最悠久且应用最广泛的静电防护评估标准；

➁ JEDEC组织持续修订HBM标准以应对半导体技术的快速演进，最新修订版特别针对由现代芯片中寄生效应引发的失效问题提出解决方案；

➂ 标准的迭代演变反映了行业必须调整测试方法，以适应先进半导体设计中复杂的寄生电容和电阻特性。

➀ 富士通（Fujitsu）已正式加入由软银（SoftBank）和英特尔（Intel）主导的Saimemory项目，该研发项目总预算达5200万美元，旨在开发一种能够替代高带宽内存（HBM）的新型存储技术。

➁ 此次合作将融合富士通在DRAM（动态随机存取存储器）领域的尖端技术与制造经验，有望重塑目前由SK海力士、三星和美光垄断的内存市场格局。

➂ 该举措符合日本强化本土半导体供应链、降低对外部内存供应商依赖的国家战略，同时也为AI加速器及高性能计算（HPC）领域提供了新的内存解决方案选择。

➀ 高速信号通过内存接口、SerDes通道、数据中心背板和汽车连接性为电子系统提供支持。

➁主要挑战包括符号间干扰、通道损耗和色散效应等信号失真，尤其是在高带宽内存(HBM)的多吉比特数据传输率下。

➂ SPICE和IBIS-AMI是验证先进半导体设计流程中信号完整性的关键工具。

➀ 高速信号通过内存接口、SerDes通道、数据中心背板和汽车连接性为电子系统提供支持。

➁主要挑战包括符号间干扰、通道损耗和色散效应等信号失真，尤其是在高带宽内存(HBM)的多吉比特数据传输率下。

➂ SPICE和IBIS-AMI是验证先进半导体设计流程中信号完整性的关键工具。

➀ 康佳微电子目标2026年生产50万颗AI芯片，这是中国推进本土硬件发展战略的一部分；

➁ 该公司正在开展中国AI芯片制造商中最激进的产能扩张之一；

➂ 但低产率和HBM内存供应不足等挑战可能阻碍其芯片发展雄心。

➀ 几名涉案人员因涉嫌违反出口管制法律，将NVIDIA的H100和H200 AI芯片走私到中国而被捕；

➁ 这些样品被用虚构品牌改标，以绕过出口限制；

➂ 该行动涉及近1.6亿美元的先进AI处理器。

➀ 半导体中玻璃使用量到2030年将增至近三倍；

➁ 由CIS、微流体、功率、存储/HBM、RF和AR应用驱动；

➂ Yole Group预测玻璃晶圆收入将大幅增长。

➀ 全球DRAM产业第三季度营收达414亿美元，环比增长30.9%；

➁ 增长得益于传统DRAM合同价格大幅上涨；

➂ 比特出货量增加以及HBM产量扩大也推动了营收增长。

➀ 美光科技计划在日本投资96亿美元建设高带宽内存（HBM）晶圆厂；

➁ 该项目将大幅扩展其广岛工厂运营，打造专用HBM生产设施；

➂ 此举源于AI内存竞赛加速，据日经亚洲报道。

➀ 谷歌在SC25超算大会上公开展示了第七代TPU Ironwood AI加速芯片实物，并披露了具体参数；

➁ 该芯片配置8组HBM3e显存，采用新型计算单元布局，现场图片首次完整呈现正反面封装结构；

➂ 这是谷歌自研AI硬件路线的重要迭代，配合Gemini 3大模型展现了其全栈AI战略的推进。

➀ 三星将12层HBM3E价格大幅下调30%（从每单位300美元降至200美元），以挑战海力士（Hynix）在HBM市场的主导地位（市占率60-70%），而三星和美光（Micron）的份额分别为20-30%和15-20%；

➁ 三星、美光和海力士均已向英伟达提交HBM4方案，用于预计2026年第四季度上市的Rubin加速器，三星采用更先进的10纳米级1c DRAM工艺，与海力士的1b工艺竞争；

➂ 中国企业长鑫存储（ChangXin）正进军HBM市场，据报道其已向华为提交HBM3测试芯片。

➀ Saras Micro Devices推出3D垂直供电系统，降低寄生损耗并节省电路板空间；

➁ 中国计划为高带宽内存（HBM）领域筹集资金，以支持其人工智能发展；

➂ 欧盟委员会提出建设“欧洲空间盾”防御计划，纳入《2030年防御准备路线图》。

➀ SK海力士HBM4每针速度超过10Gbps，比JEDEC标准的8Gbps快25%，可显著提升AI加速器性能；

➁ 采用1bnm工艺和回流塑封底部填充（MR-MUF）技术，降低生产风险并实现量产准备；

➂ 该进展巩固了SK海力士在高端内存市场的地位，为NVIDIA等客户提供高性能AI芯片的关键组件。

➀ SK海力士宣布完成HBM4开发并准备量产，成为全球首个面向AI应用的新一代存储器；

➁ HBM4通过2,048个I/O接口实现带宽翻倍，能效提升40%，AI服务性能可提升达69%，有效应对数据中心功耗问题；

➂ 公司采用先进MR-MUF工艺和1bnm制程技术，确保稳定生产，并以10Gbps运行速度远超JEDEC标准。