➀ 三星将12层HBM3E价格大幅下调30%（从每单位300美元降至200美元），以挑战海力士（Hynix）在HBM市场的主导地位（市占率60-70%），而三星和美光（Micron）的份额分别为20-30%和15-20%；

➁ 三星、美光和海力士均已向英伟达提交HBM4方案，用于预计2026年第四季度上市的Rubin加速器，三星采用更先进的10纳米级1c DRAM工艺，与海力士的1b工艺竞争；

➂ 中国企业长鑫存储（ChangXin）正进军HBM市场，据报道其已向华为提交HBM3测试芯片。