Micron plans $9.6 billion HBM fab in Japan as AI memory race accelerates
美光科技计划在日本投资96亿美元兴建HBM晶圆厂，以加速AI内存竞赛
➀ 美光科技计划在日本投资96亿美元建设高带宽内存（HBM）晶圆厂；
➁ 该项目将大幅扩展其广岛工厂运营，打造专用HBM生产设施；
➂ 此举源于AI内存竞赛加速，据日经亚洲报道。
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YMTC breaks ground on third fab
YMTC动工建设第三座晶圆厂
➀ 长江存储（YMTC）在武汉动工建设第三座NAND晶圆厂，计划2027年实现首次流片，并同步扩建第二座工厂，考虑进军DRAM市场；
➁ YMTC研发的232层X3-9070 3D NAND芯片采用QLC技术和Xtacking 3.0架构，以19.8 Gb/mm²的比特密度居行业之首，已应用于致态Ti600 1TB SSD等消费级产品；
➂ 尽管面临美国设备采购限制，YMTC正导入国产设备推进“武当山计划”，计划将全球NAND产能份额提升至10%以上，挑战美光市场地位。
Semiconductor Equipment Spending Healthy
全球半导体设备支出保持稳健增长
➀ 2025年第二季度全球半导体设备支出达330.7亿美元，同比增长23%，中国大陆以113.6亿美元居首（占比34%），但同比下滑7%；台湾地区支出增长125%至87.7亿美元，台积电成为主要推手。
➁ 北美市场因英特尔、美光、三星晶圆厂项目延期（如英特尔俄亥俄厂延至2031年）导致支出环比骤降41%，特朗普政府调整《芯片法案》投资策略引发争议。
➂ 2025年半导体资本支出预计达1600亿美元（增3%），2026年增速存分歧；美国8.9亿美元入股英特尔及股权化补贴模式恐影响《芯片法案》原定目标。
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全球半导体设备支出保持稳健增长
➀ 2025年第二季度全球半导体设备支出达330.7亿美元，同比增长23%，中国大陆以113.6亿美元居首（占比34%），但同比下滑7%；台湾地区支出增长125%至87.7亿美元，台积电成为主要推手。
➁ 北美市场因英特尔、美光、三星晶圆厂项目延期（如英特尔俄亥俄厂延至2031年）导致支出环比骤降41%，特朗普政府调整《芯片法案》投资策略引发争议。
➂ 2025年半导体资本支出预计达1600亿美元（增3%），2026年增速存分歧；美国8.9亿美元入股英特尔及股权化补贴模式恐影响《芯片法案》原定目标。
Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques
突破120层堆叠！先进沉积技术推动下一代3D DRAM量产在望
➀ 比利时imec与根特大学研究团队通过碳掺杂与温度控制，突破硅/锗材料晶格失配难题，成功实现120层堆叠的3D DRAM关键结构；
➁ 该技术使垂直堆叠存储单元成为可能，能在不增加芯片面积下将存储密度提升数十倍，为高性能计算与AI提供革命性硬件基础；
➂ 三星已将其列入技术路线图，该沉积工艺还可推动环绕栅晶体管（GAAFET）与量子计算芯片发展，加速半导体工艺进入原子级精度时代。