半导体行业最新 #TSMC 相关新闻

➀ 台积电正式起诉前高级副总裁魏正伦，指控其欺骗公司退休意图并携带20箱手写笔记移交给Intel。

➁ 魏正伦拥有丰富半导体经验：1979年伯克利加州大学固态物理与表面化学博士，Intel18年任职后2004年加入TSMC。

➂ Intel CEO Lip-Bu Tan公开支持魏正伦；台湾检察院突袭搜查，案件涉及刑事与民事层面，对Intel-TSMC关系构成挑战。

➀ 台积电起诉前资深副总裁魏振家（Wei-Jen Lo），指控其谎称退休而实际加入英特尔，并带走20箱手写笔记涉嫌窃取商业机密。

➁ 魏振家职业生涯辉煌：伯克利加州大学固态物理博士，曾在英特尔工作18年负责技术开发，后2004年加入台积电担任高管；英特尔为其辩护，称其加入制造与封装部门。

➂ 台湾检察官突击搜查其住所展开刑事调查；事件损害台积电与英特尔关系，质疑75岁高龄且持有大量台积电股票的魏振家动机。

➀ 台积电起诉前资深副总裁魏振家（Wei-Jen Lo），指控其谎称退休而实际加入英特尔，并带走20箱手写笔记涉嫌窃取商业机密。

➁ 魏振家职业生涯辉煌：伯克利加州大学固态物理博士，曾在英特尔工作18年负责技术开发，后2004年加入台积电担任高管；英特尔为其辩护，称其加入制造与封装部门。

➂ 台湾检察官突击搜查其住所展开刑事调查；事件损害台积电与英特尔关系，质疑75岁高龄且持有大量台积电股票的魏振家动机。

➀ 台积电正式起诉前高级副总裁魏正伦，指控其欺骗公司退休意图并携带20箱手写笔记移交给Intel。

➁ 魏正伦拥有丰富半导体经验：1979年伯克利加州大学固态物理与表面化学博士，Intel18年任职后2004年加入TSMC。

➂ Intel CEO Lip-Bu Tan公开支持魏正伦；台湾检察院突袭搜查，案件涉及刑事与民事层面，对Intel-TSMC关系构成挑战。

➀ 英特尔 reportedly 正在寻求一位最近退休的台积电高管来领导其关键研发工作。

➁ 前台积电企业战略发展高级副总裁 Wei-Jen Lo 被传言将加入英特尔。

➂ Lo 的这一举动可能对台积电和台湾半导体产业产生重大影响。

➀ AMD的Zen 6架构可能推迟到2027年发布，这标志着该公司发布节奏的重大转变；

➁ Ryzen 11000系列可能因台积电先进节点生产计划的变化而面临一年时间的延误；

➂ 对Zen 6开发至关重要的N2X工艺节点现在预计将在2027年底或2028年初可用；

➃ 这次延误破坏一次的产品发布周期，可能会创造近十年来CPU主要世代之间的最长间隔；

➄ 预计AMD将实施两阶段策略来管理这次过渡，可能发布Zen 5的增强版并推迟Zen 6的全面推出。

➀ 人工智能时代和地缘政治影响下，台湾半导体产业仍然是全球中心。

➁ TSIA主席和台积电高级副总裁讨论加强台湾半导体供应链的策略。

➂ 提出的两个主要策略是国内外扩张和引进外国公司。

➀ 特斯拉CEO埃隆·马斯克决定同时选择三星代工厂和台积电来生产特斯拉下一代AI5芯片，这是特斯拉最新自动驾驶硬件和实时自动驾驶信号处理的关键组件。

➁ 在特斯拉财报电话会议上确认的这项决定旨在利用两家顶级美国工厂的产能和优化能力。

➂ 这项分产合作对两家代工厂都是双赢，并加强了美国半导体供应链。

➀ 台积电将于11月5日在台中科学园区动工建设1.4纳米芯片厂，投资490亿美元，预计2028下半年量产，年营收或达159亿美元，雇佣8,000-10,000人；

➁ 因1.4纳米工艺需求强劲（每片晶圆约4.5万美元），台积电调整原计划，将一次性建造四座1.4纳米厂，而非分阶段建设两座1.4纳米和两座1纳米厂；

➂ 面对英特尔18A制程和三星2纳米的竞争压力，台积电加速布局以巩固技术领先地位，并出于成本与技术成熟度考量，未采用高数值孔径EUV光刻机。

① 中国将加拿大研究公司TechInsights列入不可靠实体清单，该公司曾揭露华为在美国制裁下仍依赖台积电代工芯片；

② 该禁令禁止中国企业与TechInsights进行合作，指责其通过技术逆向分析“恶意评论中国”并泄露敏感信息；

③ 此举凸显中国强化半导体自主可控战略，TechInsights的调查报告曾暴露华为对台积电、三星等海外技术的依赖。

➀ 台积电2025年9月营收103亿美元，同比增长31.4%，但环比下降1.4%；

➁ 2025年第三季度总营收达324.7亿美元，同比增长30%；

➂ 2025年1-9月累计营收903.3亿美元，同比增长36.4%。

➀ 21世纪初，平面晶体管在90nm以下制程面临漏电严重和能效下降问题，摩尔定律濒临失效；

➁ 胡正明教授发明三维鳍式场效晶体管（FinFET），通过三面包裹栅极设计将漏电降低4个数量级，使晶体管进入20nm以下时代；

➂ 英特尔22nm工艺首次商用FinFET，台积电、三星跟进后，7nm制程实现每平方毫米超9000万晶体管，支撑AI芯片和先进计算发展。

➀ 21世纪初，平面晶体管在90nm以下制程面临漏电严重和能效下降问题，摩尔定律濒临失效；

➁ 胡正明教授发明三维鳍式场效晶体管（FinFET），通过三面包裹栅极设计将漏电降低4个数量级，使晶体管进入20nm以下时代；

➂ 英特尔22nm工艺首次商用FinFET，台积电、三星跟进后，7nm制程实现每平方毫米超9000万晶体管，支撑AI芯片和先进计算发展。

➀ Teradyne因推动多芯片测试方案及CoWoS先进封装技术，获台积电2025年OIP 3DFabric测试领域年度合作伙伴奖；

➁ 创新性的UCIe互连标准与流式扫描测试技术，使3D IC在晶圆级测试阶段即可实现高带宽缺陷检测，降低AI数据中心芯片质量成本；

➂ 台积电3DFabric Alliance通过整合EDA/IP/测试生态，为A16/N2等先进制程的异构集成设计建立标准化测试框架。

➀ Sofics与台积电合作，提供从250nm到2nm工艺的ESD保护解决方案，推动AI基础设施和极端环境电子产品的创新；

➁ 通过与Celestial AI的合作，Sofics为台积电5nm光子互连技术定制了低寄生电容ESD IP，实现50-100Gbps信号传输，突破AI内存墙瓶颈；

➂ Sofics与Magics Technologies合作15年，开发出抗辐射ESD技术，支持ITER核聚变项目和太空任务，单粒子效应抗性达80MeV·cm²/mg。

➀ Teradyne因推动多芯片测试方案及CoWoS先进封装技术，获台积电2025年OIP 3DFabric测试领域年度合作伙伴奖；

➁ 创新性的UCIe互连标准与流式扫描测试技术，使3D IC在晶圆级测试阶段即可实现高带宽缺陷检测，降低AI数据中心芯片质量成本；

➂ 台积电3DFabric Alliance通过整合EDA/IP/测试生态，为A16/N2等先进制程的异构集成设计建立标准化测试框架。

➀ Sofics与台积电合作，提供从250nm到2nm工艺的ESD保护解决方案，推动AI基础设施和极端环境电子产品的创新；

➁ 通过与Celestial AI的合作，Sofics为台积电5nm光子互连技术定制了低寄生电容ESD IP，实现50-100Gbps信号传输，突破AI内存墙瓶颈；

➂ Sofics与Magics Technologies合作15年，开发出抗辐射ESD技术，支持ITER核聚变项目和太空任务，单粒子效应抗性达80MeV·cm²/mg。