半导体行业最新 #SMIC 相关新闻

➀ 中国出台了一项政策,规定半导体制造商在增加新产能时,必须至少从国内供应商那里采购50%的设备;

➁ 这项政策是对减少对外国供应商依赖和刺激国内设备制造业增长的战略回应;

➂ 作为中国加强半导体产业的更广泛战略的一部分,这项要求旨在实现该行业的更大自给自足;

➃ 该政策的执行涉及国家招标和行政批准,对于国内替代品尚不可行的先进生产线有一定的灵活性;

➅ 作为对美国2023年出口限制的回应,这项政策促使中国制造商寻求本地供应商,即使在外国设备仍然合法可用的情况下也是如此;

➆ 该政策导致了对国内设备的需求增加,尤其是在蚀刻领域,纳瑞科技、AMEC和SMIC等公司正在满足这一需求;

➇ 中国政府通过中国集成电路产业投资基金的财政支持对于支持纳瑞和AMEC等国内制造商至关重要,促进了它们的增长和市场存在。

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➀ TechInsights对华为Mate 80 Pro Max搭载的麒麟9030芯片进行拆解分析,指出中芯国际“N+3”工艺的晶体管密度确实低于三星和台积电早期的5nm工艺,但其金属间距缩进非常激进;

➁ 尽管存在密度差距,但这种激进的缩进表明中芯国际正在利用多重曝光技术(如SADP/SAQP)来规避缺乏EUV光刻机的限制;

➂ 这些发现暗示,通过进一步的工艺优化,中芯国际有可能仅靠DUV光刻技术实现超过300 MTr/mm²的晶体管密度里程碑。

HuaweiKirinSMIC

➀ TechInsights对华为Mate 80 Pro Max搭载的麒麟9030芯片进行拆解分析,指出中芯国际“N+3”工艺的晶体管密度确实低于三星和台积电早期的5nm工艺,但其金属间距缩进非常激进;

➁ 尽管存在密度差距,但这种激进的缩进表明中芯国际正在利用多重曝光技术(如SADP/SAQP)来规避缺乏EUV光刻机的限制;

➂ 这些发现暗示,通过进一步的工艺优化,中芯国际有可能仅靠DUV光刻技术实现超过300 MTr/mm²的晶体管密度里程碑。

KirinSMICHuawei

➀ 中芯国际正在测试上海宇亮盛自主研发的浸没式DUV光刻机,预计至少需两年时间投入芯片生产;

➁ 宇亮盛为深圳思凯来子公司,同时推进代号“珠穆朗玛峰”的EUV光刻机研发项目;

➂ 国内DUV布局还包括上海微电子装备(SMEE)的28nm制程设备,以及美方禁令前采购的ASML光刻机存量。

ASMLSMICsemiconductor

➀ 英特尔CEO陈立武因投资600余家中国公司(部分涉及军事关联)引发美国国家安全质疑;

➁ 曾执掌Cadence期间违规向中方出售芯片设计软件,公司被罚款1.4亿美元;

➂ 尽管白宫会面后特朗普态度软化,但陈立武是否真正切断在华投资仍是争议焦点。

IntelSMIC