本月早些时候，TechInsights对华为Mate 80 Pro Max中发现的麒麟9030芯片进行了拆解分析。关于这一发现，报告做出了两个明确的结论：（1）中芯国际“N+3”工艺的晶体管密度确实低于三星和台积电早期的5nm工艺；（2）金属间距（Metal Pitch）缩进非常激进。

尽管中芯国际（SMIC）在没有EUV（极紫外）光刻机的情况下制造先进芯片面临着巨大的物理限制，但麒麟9030的出现证明了中国半导体制造业在DUV（深紫外）光刻技术上的极限挖掘能力。通过采用多重曝光（Multi-Patterning）等复杂的工艺手段，中芯国际正在试图逼近300 MTr/mm²（每平方毫米3亿个晶体管）的密度大关。

这一发现对于理解中国半导体产业在面临外部技术封锁下的自给自足能力具有重要意义。虽然在能效比和绝对密度上与行业最顶尖水平仍有差距，但这种通过架构优化和工艺创新来提升性能的路径，展示了未来中国先进制程发展的可能性。