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➀ 罗姆 (Rohm) 与塔塔电子 (Tata Electronics) 宣布建立合作伙伴关系,将在印度组装并测试罗姆生产的汽车级 Nch 100V、300A Si MOSFETs,采用 TOLL 封装。

➁ 这些器件由罗姆印度团队针对当地市场设计,计划于明年开始大规模生产出货。

➂ 此次合作旨在加强印度汽车行业当地半导体的供应链建设。

ROHMSi MOSFETsTata

➀ ROHM开发了一种肖特基势垒二极管,用于在传感器断电时防止电压损坏,并在运行期间避免过热;

➁ 该二极管在-40°C时正向电压低于300mV,125°C时反向电流低于20µA,采用紧凑的2.5×1.4mm封装,符合汽车AEC-Q101标准;

➂ 可应用于ADAS摄像头、安防系统和工业传感器,未来计划推出更小尺寸版本以满足高精度电子设备需求。

ROHMautomotivesemiconductor

➀ ROHM推出针对汽车区域控制器设计的新型高边智能开关系列,导通电阻覆盖9 mΩ至180 mΩ;➁ 该产品具备高负载处理能力、±5%电流检测精度及故障诊断功能,提升电动汽车安全性;➂ 通过替代机械保险丝,支持向无熔丝架构转型,满足区域控制对软件定义汽车的演进需求。

ROHMautomotivesemiconductor

➀ Infineon与Rohm签署合作备忘录,共同开发碳化硅功率器件封装技术,互为第二供应商以提升客户设计与采购灵活性;

➁ Rohm采用Infineon的顶部冷却平台(如TOLT、Q-DPAK)提高功率密度,Infineon则整合Rohm的DOT-247封装扩展碳化硅半桥解决方案;

➂ 双方计划未来拓展至硅基及宽禁带半导体技术(碳化硅、氮化镓),提供更广泛的解决方案并推动行业创新。

InfineonROHMSiC

➀ 罗姆推出TLR1901GXZ纳米功耗轨至轨运算放大器,采用910×800μm晶圆级芯片封装,适用于可穿戴设备和传感器等紧凑型应用;

➁ 工作电压1.7–5.5V,典型功耗160nA,增益带宽积400Hz,压摆率300V/s,但未提供详细的ESD防护参数;

➂ 提供2.4×2.9mm超小型评估板,聚焦低功耗与小尺寸需求场景。

ROHMsemiconductor

➀ ROHM推出TLR1901GXZ超小型CMOS运算放大器,其工作电流仅为160nA(行业最低),专为可穿戴设备、工业传感器等空间和电池受限设备设计。

➁ 该运放采用微型WLCSP封装(面积小于1mm²),具备高精度特性(最大输入偏移电压0.55mV),适用于运动检测器和物联网环境传感器等场景。

➂ ROHM未来计划通过降低噪声、拓宽电压范围及工艺创新,进一步优化运放技术,为各行业提供更高效的解决方案。

ROHMsemiconductor