➀ SK海力士全球首家在其利川M16工厂部署ASML High-NA EUV光刻设备（EXE:5200B），旨在为AI和超算市场简化DRAM制造流程；

➁ 该设备具备0.55数值孔径（NA），可实现电路图形缩小1.7倍、晶体管密度提升2.9倍，减少多重曝光步骤并重点发展新一代高带宽内存（HBM）；

➂ 设备导入时间较原计划提前六个月，使SK海力士在三星等竞争对手前获得量产优势，巩固其在AI内存领域的技术领导地位。