Via Multipatterning Regardless of Wavelength as High-NA EUV Lithography Becomes Too Stochastic
High-NA EUV光刻技术随机性过高，通孔多图案化工艺成为2nm节点必要选择
➀ 高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻因光子吸收随机性和焦深不足，难以满足2nm节点的边缘粗糙度与分辨率要求；
➁ 10nm以下通孔连接必须采用多图案化工艺，源漏极接触层需最多4层掩膜，即使使用EUV也无法避免；
➂ 自对准式图案化技术结合交叉对角线网格布局，可将掩膜层数降至最低，以应对40nm中心距的物理极限。