Predicting Stochastic EUV Defect Density with Electron Noise and Resist Blur Models
基于电子噪声与光刻胶模糊模型预测EUV随机缺陷密度
➀ 本研究首次将二次电子噪声与更新的光刻胶模糊模型（化学放大光刻胶用高斯模型、金属氧化物光刻胶用指数模型）结合，用于预测EUV光刻中的随机缺陷。
➁ 缺陷概率随尺寸增大呈指数下降，而靠近图形边缘的缺陷密度更高；光刻胶模糊会降低对比度，使像素缺陷概率趋近50%。
➂ 当光刻制程推进至20纳米以下节距时，电子噪声与分子级光刻胶特性超越光学参数成为主导因素，多重曝光技术势在必行。