➀ 韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）研究人员开发出良率达95%的晶圆级忆阻器集成工艺，为类脑AI芯片奠定基础；

➁ 团队实现3D垂直堆叠结构，并在脉冲神经网络中展示高效稳定性能，解决了长期存在的规模化难题；

➂ 忆阻器集成存储与计算功能，其数据密度是传统SRAM的数十倍，有望实现高能效大规模AI计算系统。