DRAM 读扰动：Rowhammer、RowPress 与缓解机制
一次讲清 DRAM 读扰动的核心术语：Rowhammer 与 RowPress 的差别、TRR 为什么挡不住 RowPress，以及 RFM / PRAC / ODECC 各自管哪一层。
两类读扰动，差别在「怎么打扰」
Rowhammer 靠反复激活同一行：高频的激活边沿让相邻行的电荷泄漏，最终出现位翻转。RowPress 反过来，把一行长时间保持在打开状态，不需要多少次激活就能造成翻转，所需激活次数可以低一个数量级。
这个差别不是学术细节，它直接决定了缓解措施有没有用：只数激活次数的机制看不见「保持时间」。
术语对照
| 术语 | 是什么 | 容易误读的地方 |
|---|---|---|
| Rowhammer | 反复激活同一行，相邻行电荷泄漏导致位翻转 | 不是软件漏洞，是 DRAM 阵列的物理特性 |
| RowPress | 长时间保持行打开，低激活次数即可翻转 | TRR 只数激活边沿，对保持时间完全失效 |
| TRR | Target Row Refresh，DRAM 内部缓解 | 实现私有、依赖采样，存在盲区，不能当作安全边界 |
| RFM | DDR5 的刷新管理命令 | 需要内存控制器配合，不是 DRAM 自己就能完成 |
| PRAC | 每行激活计数，2024 年 4 月进入 JEDEC DDR5 规范 | 规范已定，但存量 DIMM 无法通过固件升级获得 |
| ODECC | 片上 ECC，DDR5 强制 | 只保证片内可靠性，不等于抵御恶意扰动 |
缓解机制分三层看
- DRAM 内部：TRR 一类私有实现，靠采样识别被频繁激活的行。
- 接口与控制器：RFM / PRAC 需要内存控制器参与计数与刷新调度，是规范层的能力。
- 系统与软件：ECC、内存隔离、页表策略只能降低后果，不能消除物理翻转。
- 三条路线并不互斥，争论的焦点是计数放在内存控制器侧还是 DRAM 内部。
读新闻时怎么用这份术语表
- 看到「新攻击绕过了现有防护」，先确认绕的是 TRR、RFM 还是 PRAC，三者不是一回事。
- 看到「规范已修复」，注意存量硬件不会自动升级，装机基数是另一条时间线。
- 看到「HBM / GDDR 是否受影响」，属于架构外推，需要一手论文或厂商公告支撑。
本页只做术语与机制基线，不含事件跟踪、待核实项与判断；专题简报另行发布。
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