➀ 闪迪推出其第10代3D NAND闪存技术,BiCS10 1Tb TLC;
➁ 该技术实现了超过29Gb/mm2的密度,比特密度提高了59%;
➂ 提供高达4.8Gb/s的接口速度,比目前大规模生产的第8代3D闪存提高了33%;
➃ 专为支持密集型数据工作负载而设计。
➀ 闪迪推出其第10代3D NAND闪存技术,BiCS10 1Tb TLC;
➁ 该技术实现了超过29Gb/mm2的密度,比特密度提高了59%;
➂ 提供高达4.8Gb/s的接口速度,比目前大规模生产的第8代3D闪存提高了33%;
➃ 专为支持密集型数据工作负载而设计。