➀ 安世半导体推出80V和100V应用特定MOSFET(ASFET),优化48V高功率系统中的动态均流性能,解决多管并联的电流不均问题;
➁ PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ型号实现开关过程中最高50%的电流差异缩减(单管50A),阈值电压窗口收窄至0.6V,省去昂贵的器件匹配流程;
➂ 凭借极低的导通电阻(1.9mΩ和2.3mΩ)及耐用的LFPAK88封装,显著提升电动汽车、工业电机等场景的能效与系统可靠性。
➀ 安世半导体推出80V和100V应用特定MOSFET(ASFET),优化48V高功率系统中的动态均流性能,解决多管并联的电流不均问题;
➁ PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ型号实现开关过程中最高50%的电流差异缩减(单管50A),阈值电压窗口收窄至0.6V,省去昂贵的器件匹配流程;
➂ 凭借极低的导通电阻(1.9mΩ和2.3mΩ)及耐用的LFPAK88封装,显著提升电动汽车、工业电机等场景的能效与系统可靠性。