➀ IBM的阿尔巴尼研究实验室成功研发了0.7纳米的芯片工艺;
➁ 该工艺基于IBM的3D纳米堆叠技术,实现晶体管的垂直堆叠和错位排列;
➂ IBM表示,通过使用纳米堆叠芯片中的错位通道,可以将SRAM密度比非堆叠、非错位芯片提高40%;
➃ IBM认为,纳米堆叠技术至少可以提供十年的未来扩展能力。
➀ IBM的阿尔巴尼研究实验室成功研发了0.7纳米的芯片工艺;
➁ 该工艺基于IBM的3D纳米堆叠技术,实现晶体管的垂直堆叠和错位排列;
➂ IBM表示,通过使用纳米堆叠芯片中的错位通道,可以将SRAM密度比非堆叠、非错位芯片提高40%;
➃ IBM认为,纳米堆叠技术至少可以提供十年的未来扩展能力。