➀ 研究人员利用六方氮化硼（hBN）层的“邻近屏蔽”技术，将石墨烯电子性能提升至创纪录水平，载流子迁移率达5.7×10⁷ cm²/Vs，并显著降低了电荷不均匀性；

➁ 超薄hBN-石墨烯异质结构抑制了电子噪声，实现了量子霍尔效应等量子现象，为高速晶体管和量子技术应用奠定基础；

➂ 该可扩展的制备方法与现有半导体工艺兼容，为开发无缺陷二维材料器件提供了新路径。