➀ 维也纳理工大学、林茨大学和弗莱贝格工业大学的研究人员开发了一种基于调制受主掺杂（MAD）技术的硅锗（SiGe）晶体管，通过掺杂氧化物层取代传统半导体掺杂，消除了材料中的杂质；

➁ 该技术实现了导电性提升4000倍、低温性能优化（对量子芯片至关重要）、能耗降低，并减少了纳米级晶体管中的性能波动；

➂ 这一突破解决了量子计算中传统掺杂在超低温下失效的关键问题，为高速、低能耗的纳米电子器件和量子系统开辟了新路径。