Advanced Packaging Enhance MOSFET Efficiency
先进封装技术提升MOSFET效率
➀ 东芝推出采用SOP Advance(E)封装的两款高性能N沟道功率MOSFET（TPM1R908QM和TPM7R10CQ5），适用于工业电源、数据中心和通信基础设施；
➁ 新封装技术通过优化电热路径，实现电阻降低65%、热阻减少15%，显著提升能效与可靠性；
➂ 关键参数包括低导通电阻（1.5 mΩ）、高电流处理能力（238A）、快速开关（50 ns上升时间）及4.9×6.1mm紧凑封装，满足空间敏感型设计需求。