➀ 弗劳恩霍夫与台湾半导体研究院（TSRI）合作开发基于氧化铪（HfO2）的铁电场效应晶体管（FeFET）。

➁ 这些FeFET用于制造能效更高的存储IC。

➂ 针对数据中心的关键瓶颈，如功耗问题。