➀ 斯坦福大学研究人员开发出超薄金刚石散热层,可将氮化镓(GaN)晶体管的工作温度降低70°C,有效解决芯片热点问题。
➁ 该技术通过约400°C低温沉积工艺,在半导体表面形成碳化硅界面层,显著提升热传导效率。
➂ 正与台积电、三星等半导体厂商合作验证,有望应用于三维芯片堆叠和AI加速器等高性能计算设备。
➀ 斯坦福大学研究人员开发出超薄金刚石散热层,可将氮化镓(GaN)晶体管的工作温度降低70°C,有效解决芯片热点问题。
➁ 该技术通过约400°C低温沉积工艺,在半导体表面形成碳化硅界面层,显著提升热传导效率。
➂ 正与台积电、三星等半导体厂商合作验证,有望应用于三维芯片堆叠和AI加速器等高性能计算设备。