➀ 维尔茨堡大学的研究团队开发了一种可在更高温度（约-213°C）下工作的拓扑绝缘体，突破了以往需接近绝对零度的限制；

➁ 该材料采用三层量子阱结构（InAs/GaInSb/InAs），通过提升带隙能量和结构对称性，实现了更稳定的自旋极化电子传输；

➂ 这一进展使拓扑绝缘体与现有硅芯片技术兼容，为开发高效能拓扑电子器件奠定了基础。