1、台积电采用全环绕栅极（GAA）晶体管技术实现2纳米制程突破；2、新工艺较3纳米芯片性能提升10-15%，能效提高25-30%；3、计划2025年量产，将巩固台积电在AI、高性能计算和移动设备芯片制造的领先地位。